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【成电EMC2论坛 第055期】二维半导体晶体管构筑
发布日期:2020-11-04作者: 审核人:牛晓滨

题  目: 二维半导体晶体管构筑

主讲人: 廖 蕾 教授

主持人: 林 媛 教授

时  间:2020年116日(周五),9:10 AM 

地  点:沙河校区电子楼137会议室

主讲人简介:

廖蕾,湖南大学教授。2004年,获武汉大学物理学院材料物理专业学士学位;2009年,获武汉大学材料物理与化学专业博士学位,其间,在中国科学院物理研究所联合培养。2009年至2011年,在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作,2011年7月份至2016年12月在武汉大学物理学院工作,2017年1月加入湖南大学物理与微电子科学学院。在Nature、Nature Electron.、Nature Commun.、PNAS、和Nano Lett.等学术期刊发表SCI论文200余篇,H因子66,他人引用大于10000次。授权中国发明专利5项。入选英国工程技术学会会士(IET Fellow)和科睿唯安全球高被引学者。获批国家自然科学基金委杰出青年基金、万人计划“青年拔尖人才”以及湖南省创新科学研究群体等。

讲座内容:

晶体管是现代信息技术中最重要的发明之一,是所有现代电路的关键主动元件。一直以来,晶体管沿着摩尔定律的方向不断发展,缩小器件特征尺寸,增快器件开关速度。但是随着晶体管的沟道长度缩短至10纳米,短沟道效应和量子限域效应带来的影响已经不能忽略,沟道长度缩短与器件性能提升不能完全对应。因此为了保持晶体管的继续发展和克服短沟道效应带来的影响,对半导体材料的质量要求越来越高,厚度要求越来越薄。二维半导体材料成为克服短沟道效应的潜在候选之一。

报告将介绍二维半导体的异质集成与器件构筑;采用范德华异质集成和超薄缓冲层方法,抑制传统沉积技术产生的缺陷,降低栅介质/二维材料的界面缺陷密度,削弱金属/二维材料的钉扎效应,获得了高质量的器件界面。上述工作为二维半导体器件设计与构建提供了一些新思路。

 热忱欢迎广大师生积极参与!